虽然现今还是DRAM的时代，不过东芝和海力士（Hynix）半导体已经未雨绸缪，开始为下一代存储介质展开行动了。今日这两家公司正式宣布在MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory，自旋扭矩转换磁性抵抗型随机存储器）技术上展开合作，利用Hynix设在韩国利川的研究部门集合两公司的研究人员，共同研发MRAM相关产品。

　　MRAM是利用磁致电阻的变化来表示0和1从而存储数据的新一代不挥发性内存介质。除断电后不会丢失数据外，相比DRAM还有省电、使用寿命长、存储密度大和速度快等优点。IBM，TDK和东芝一直是MRAM技术的先行者，东芝此次和Hynix合作共同开发MRAM的目标是加速实现MRAM技术的产品化。早期研究方向为NAND闪存和MRAM组成的混合存储系统，开发NAND相关新的应用方向。后期将进行MRAM技术在硬盘和PC内存方面应用的开发。

　　东芝和Hynix半导体两家公司还在未来产品的制造方面达成了合作协议，但没有透露产品路线图等相关的信息。