NAND Flash存储器主要有两种：SLC（Single Level Cell）与MLC（Multi Level Cell）。两者应用在快取操作时，由于基本构造上的差异，也会有不同的效果。

　　SLC类型的Flash存储器写入速度更快（存取时间与吞吐量较MLC快了2~3倍以上），寿命更长（允许的写入/删除循环次数更多），也更可靠，更能胜任写入快取的角色，也能用于读取快取。缺点是单位容量成本较高（与MLC相差2~5倍）。

　　相对的，MLC类型Flash存储器的写入速度明显慢于SLC,可靠性亦较差，而且若某个存储器单元（Cell）写入失败时，可能造成的影响也更大，甚至会影响到先前写入的数据，所以不适合用作写入快取。不过MLC Flash存储器的读取效能相当好，成本明显较SLC更低，十分适合担任读取快取的角色。

　　对比产品：