镁光将与IBM合作，并使用IBM提供的TSV技术（硅穿孔）来开发混合存储立方（HMC）芯片，如果量产成功，将带来存储技术的革命。

　　由于在存储芯片堆叠时使用了TSV技术，相同面积的芯片将获得10倍于传统芯片的存储容量。与此同时，由于采用了某些内建机制，传输数据消耗的能量将减少70%，传输速度也将提升到标准DDR3芯片的15倍左右。现有产品原型的带宽就已高达128GB/s，为高端DDR3闪存传输速度的10倍，最终成品还会更高。

　　IBM会在纽约州东菲什基尔(East Fishkill)的工厂，加工将采用IBM的32nm HKMG工艺，有关其TSV技术的更多细节将在近日的IEEE国际电子设备会议上公布。

　　根据官方解释，HMC内存最初将定位于工业企业服务器市场，但随着技术的发展和成本的降低终将进入消费级市场。